Нагрев электронов в зоне проводимости кристалла CsI под действием мощных фемтосекундных лазерных импульсов

В работе представлены фотоэлектронные спектры CsI, индуцированные лазерными
импульсами с пиковой интенсивностью 5×10^11-3×10^12 Вт/см2 и длительностью 40 фс. При
повышении интенсивности возбуждения в спектре появляется и расширяется плато
высокоэнергетичных электронов, которое имеет экспоненциальный обрыв. При
интенсивности 3×10^12 Вт/см2 конец плато имеет энергию 27 эВ, полный электронный выход
при этом возбуждении на 90%% определяется электронами с энергией выше 3.5 эВ. Эти
спектры не могут быть описаны только в рамках модели нагрева электронов в кристалле за
счет электрон-фотон-фонноного взаимодействия. Предложена альтернативная модель
нагрева электронов, базирующаяся на учете прямых межветвевых переходов электронов в
зоне проводимости диэлектрического кристалла (без участия третьих частиц) под действием
мощного лазерного излучения, которая учитывает многоветвевую электронную структуру
зоны проводимости.

Номер документа: 2003-8/721

Авторы: А.Н. Бельский, А.Н. Васильев, Б.Н. Яценко, H. Bachau, P. Martin, G. Geoffroy, S.

Email: dd_boris@rambler.ru

Размер файла: 305.19 КБ, последнее обновление 23.11.2012 17:15