Дефектообразование и рекристаллизация в пленках кремния на сапфире при ионном облучении

Целью диссертационной работы являлось экспериментально изучить процессы образования дефектов в пленках кремния на сапфире под действием ионного облучения и выявить механизмы эпитаксиальной твердофазной рекристаллизации.

Размер файла: 1.02 МБ, последнее обновление 28.08.2013 14:25

Автор: Шемухин Андрей Александрович

Защищаемая степень: к.ф.-м.н.